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單晶硅壓力變送器

  • 單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度,100:1寬量程比,穩定性高、響應速度快、可靠性高,自帶HART通訊功能。
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單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度,100:1寬量程比,穩定性高、響應速度快、可靠性,自帶HART通訊功能方便手操器調試,具有本質安全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結構,多種過程連接標準,適用微壓、絕壓、負壓、高溫高壓、低溫和腐蝕條件的壓力測量。

一、單晶硅壓力變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應而構成。采用單晶硅片為彈性元件,在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝,在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻,并將電阻接成橋路,單晶硅片置于傳感器腔內。當壓力發生變化時,單晶硅產生應變,使直接擴散在上面的應變電阻產生與被測壓力成比例的變化,再由橋式電路獲得相應的電壓輸出信號。

二、單晶硅壓力變送器技術參數

測量范圍
相對壓力:0~400Pa~35MPa
絕對壓力0~1.75KPa~35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊協議(兩線制)
測量精度
綜合誤差:0.1%(包括線性度、重復性、遲滯),特殊要求可定0.075%
長期穩定性
每年優于0.15%F.S
五年優于0.2%F.S
溫度范圍
允許介質溫度:(-40~120)℃
允許環境溫度:(-40~85)℃
允許儲存溫度:(-40~85)℃
溫度影響
相對于25℃:≤±0.4%標準量程
阻尼時間
0~40S連續可調
抗震動:2g 1000HZ ±0.05%g
抗沖擊:50g 11mesc
電磁兼容特性:符合IEC801標準
傳感器允許過壓:標準量程3倍壓力
零點最小報警電流范圍:3.8mA
滿度最大報警電流范圍:21mA
啟動時間:3S 無需預熱

與介質接觸部分材料

過程連接件:不銹鋼316, 哈氏合金C

傳感器膜片:不銹鋼316, 哈氏合金C
與介質非接觸部分材料
外殼: 壓鑄鋁帶環氧樹脂涂層
傳感器充灌液:硅油 厭氧油
現場顯示:液晶3 1/2精度數字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器
防護等級:IP66
重量:約1Kg
防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 ,本安型 Ex ia ⅡC T5
允許環境濕度:100%RH

咨詢:0.075%高精度單晶硅壓力變送器

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